Guinguette Marais Poitevin

タングステンの原子は74個の電子を持ち、その殻構造は2.8.18.32.12.2である。4f14.5d4.6s2で、項記号は5D0です。

原子スペクトル

タングステンの原子スペクトルを表現したもの。

イオン化エネルギーと電子親和力

タングステンの電子親和力は78.6kJ mol-1であることがわかります。 タングステンのイオン化エネルギーを以下に示します。

有効核電荷

以下は「Clementi-Raimondi」の有効核電荷、Zeffです。 ハイパーリンクをたどると、詳細やさまざまな形式のグラフを見ることができます。

これらの有効核電荷。 Zeffは以下の文献から引用しています。

1. E. Clementi and D.L.Raimondi, J. Chem. Phys. 1963, 38, 2686.
2. E.
3. E. Clementi, D.L.Raimondi, and W.P. Reinhardt, J. Chem. Phys. 1967, 47, 1300.

電子の結合エネルギー

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タングステンの電子結合エネルギー。 電子結合エネルギーの値はすべてeVで示されています。 希少ガスやH2、N2、O2、F2、Cl2分子の場合は真空レベルを基準に、金属の場合はフェルミレベルを基準に、半導体の場合は価電子帯のトップを基準にしています。

ラベル	軌道	eV
K	1s	1s	69525
L I	2s	12100
L II	2p1/2	11544
L III	2p3/2	10207
M I	3s	2820
M II	3p1/2	2575
M III	3p3/2	2281
M IV	3d3/2	1949
M V	3d5/2	1809
N I	4s	594.1
N II	4p1/2	490.4
N III	4p3/2	423.6
N IV	4d3/2	255.9
N V	4d5/2	243.5
N VI	4f5/2	33.6
N VII	4f7/2	31.4
O I	5s	75.6
O II	5p1/2	45.3
O III	5p3/2	36.8

備考

電子結合エネルギーのデータを提供してくれたGwyn Williams (Jefferson Laboratory, Virginia, USA)に感謝します。 このデータは、文献1～3から引用したものです。

1. J.
2. J. A. Bearden and A. F. Burr, “Reevaluation of X-Ray Atomic Energy Levels,” Rev. Mod. Phys. Phys., 1967, 39, 125.
3. M. Cardona and L. Ley, Eds., Photoemission in Solids I. General Principles (Springer-Verlag):
4. Gwyn Williams WWW table of values
5. D.R. Lide, (Ed.) in Chemical Rubber Company handbook of chemistry and physics, CRC Press, Boca Raton, Florida, USA, 81st edition, 2000.
6. J. C. FuggleおよびN. Mårtensson, “Core-Level Binding Energies in Metals,” J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1980, 21, 275.

J.